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安其威微电子宣布获得数千万元A轮融资

标签:产品 芯片 技 高性能 微波  日期:2019-04-15 11:56
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安其威微电子宣布获得数千万元A轮融资

4月15日,微波集成电路企业安其威微电子宣布获得数千万元A轮融资,本轮融资由航天科工领投,德联资本、中电艾伽跟投。本轮融资主要用于扩展市场、运营、质量和研发团队,以及一系列产品的量产销售。

安其威微电子成立于2015年,主攻硅基(如Bulk-CMOS、SOI-CMOS和SiGe BiCMOS)高性能微波集成电路,除全集成硅基TR芯片外,已经研制成功X波段微波指令接收机、高性能射频开关、数字衰减器和具有独家发明技术的限幅器、宽带对数检波放大器等系列产品,同时正规划和设计更多用于相控阵雷达、5G和卫星通信设备的高性能微波芯片产品。

安其威创始人、CEO陆建华表示,过去的三年里,安其威根据市场需求研发芯片产品,目前已经成功开发出一系列全集成相控阵芯片。

航天科工基金管理公司投资总监酒彦表示:“伴随我国高科技产业的发展,掌握先进技术的企业,特别是掌握关键元器件设计、制造技术的民营企业,将大有作为。微波芯片作为雷达、通讯等专用高性能电子设备的核心部件,在航空航天领域应用前景宽阔。我国高频硅基微波芯片技术发展较慢,国内相关产品以化合物工艺为主,集成度较低,市场亟待稳定可靠的高频、高集成度产品。安其威的技术路径基于SOI和SiGe工艺,具有集成度高、易于规模制造、高性价比的特点,并且已经形成多个典型应用案例,较好地体现了公司的芯片设计能力和管理水平。”

关于安其威微电子

安其威微电子是由海归专家陆建华博士联合几位国内顶尖的芯片和微波系统专家在2015年创立的微波集成电路企业。目前已经聚集了20多位经验丰富和朝气蓬勃的工程师,分布在上海浦东软件园和南京两个研发中心。安其威主攻硅基半导体工艺(Bulk-CMOS, SOI-CMOS和SiGe BiCMOS)高性能微波集成电路,除了全集成TR芯片以外,已经研制成功了X波段微波指令接收机,高性能射频开关,移相器,衰减器和限幅低噪声放大器,宽带对数检波放大器等系列产品, 同时正规划和设计更多用于相控阵雷达,5G和卫星通信设备的高性能微波芯片产品。

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