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在射频芯片领域，市场主要被海外巨头所垄断，海外的主要公司有Qorvo，skyworks和Broadcom;国内射频芯片方面，没有公司能够独立支撑IDM的运营模式，主要为Fabless设计类公司;国内企业通过设计、代工、封装环节的协同，形成了“软IDM”的运营模式。射频芯片设计方面，国内公司在5G芯片已经有所成绩，具有一定的出货能力。射频芯片设计具有较高的门槛，具备射频开发经验后，可以加速后续高级品类射频芯片的开发。

目前，具备射频芯片设计的公司有紫光展锐、唯捷创芯、中普微、中兴通讯、雷柏科技、华虹设计、江苏钜芯、爱斯泰克等。在整个射频前端芯片/模组的产业链中，中国在其中的参与程度目前仍然很低。目前全球前五大射频厂商分别是：Murata(IDM)，Skyworks(IDM)，Qorvo(IDM)，Broadcom/Ava(Fabless，除滤波器外)，Qualcomm/TDK Epcos(Fabless);主流的射频芯片代工厂包括稳懋(中国台湾)，global foundry，towerjazz等。与此同时，随着射频前端器件的数量和复杂度大幅增加，射频前端模组化已经成为产业趋势。

4G到5G，射频也向模组化、高集成化发展。4G向5G切换，智能手机支持的频段数跨越式增长，从而带来对射频器件更多的需求。同时支持4G/5G的模组技术难度和价值量都最高。无论是发射端还是接收端，同时支持4G/5G的模组技术难度和复杂度高于单纯5G射频前端模组，因此价值量也更高。

据中研普华产业院研究报告《2023-2028年中国射频芯片行业市场深度调研与竞争预测报告》分析：

射频芯片代工方面，台湾已经成为全球最大的化合物半导体芯片代工厂，台湾主要的代工厂有稳懋、宏捷科和寰宇，国内仅有三安光电和海威华芯开始涉足化合物半导体代工。三安光电是国内目前国内布局最为完善，具有GaAs HBT/pHEMT和GaNSBD/FET工艺布局，目前在于国内200多家企事业单位进行合作，有10多种芯片通过性能验证，即将量产。海威华芯为海特高新控股的子公司，与中国电科29所合资，目前具有GaAs0.25umPHEMT工艺制程能力。射频芯片封装方面，5G射频芯片一方面频率升高导致电路中连接线的对电路性能影响更大，封装时需要减小信号连接线的长度;另一方面需要把功率放大器、低噪声放大器、开关和滤波器封装成为一个模块，一方面减小体积另一方面方便下游终端厂商使用。为了减小射频参数的寄生需要采用Flip-Chip、Fan-In和Fan-Out封装技术。

从发射端来看，覆盖1.5GHz~3.0GHz频段范围的射频前端模组价值量最高且综合难度最大。主要是因为这一频段融合了有源器件与无源器件性能对于频率的要求，最早的4个FDDLTE频段、4个TDDLTE频段、TDS-CDMA的全部商用频段、最早商用的载波聚合方案，以及GPS、Wi-Fi2.4G、Bluetooth等重要的非蜂窝网通信全都在这一频段范围工作。由于这一频段范围商用时间长，且工作在这一频段的通信多，其特点是拥挤且干扰多，因此需要高性能的BAW滤波器，这也是M/H(L)PAMiD产品的核心技术难点。博通、Qorvo、RF360等外资厂商占据高端产品市场，从Qorvo的芯片分析图可以看出，其产品复杂度非常高。

从接收端来看，高复杂度高级程度的接收模组，产品尺寸可以做到非常小，能够在5G应用上极大压缩Rx部分占用的PCB面积，进而提升5G产品的整体性能。高集成度的产品通常需要用到WLP形式的先进封装。

2023射频芯片行业发展趋势分析

凭借多年的市场发展经验，我国半导体分立器件产业已形成了一定规模，国内领先企业通过持续加强自主创新和技术升级，在销售规模、技术水平、生产工艺以及产品品质等方面均有了较大程度的提升，并且在不同细分应用领域逐步取得了一定的市场竞争优势。同时，由于中国是全球功率半导体最大的销售市场，国内厂商与下游客户的距离更近、与本土客户的沟通交流更为顺畅，相比国外厂商在服务响应客户需求、降低产品成本等方面具有明显的竞争优势，功率半导体器件国产品牌替代率逐步提升是未来大势所趋。

面对广阔的市场前景，叠加国家产业政策的鼓励以及行业技术水平的不断提升，国内企业在技术工艺和市场份额的提升上仍有较大的开拓空间。在国际贸易争端不确定条件下，包括分立器件在内的半导体产业进口替代需求愈发明显，对于扬杰科技等国内领先的分立器件企业而言，将形成显著的竞争优势和市场份额提升空间。

欲了解更多关于射频芯片行业的市场数据及未来行业投资前景，可以点击查看中研普华产业院研究报告《2023-2028年中国射频芯片行业市场深度调研与竞争预测报告》。

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